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产品简介
产品介绍
利用液相法生长的P型碳化硅衬底具有低电阻、高掺杂浓度、高品质等优势，能满足n沟道SiC IGBT、GTO等高压双极型器件的制备需求
主要指标
晶型：4H/6H-P型
尺寸：99.5~100 mm 145.5-150.0mm
厚度：350±25 μm
微管密度：＜0.1 cm-2
电阻率：0.06~0.11 Ω∙cm
表面粗糙度：Ra<0.2nm
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